ساخت نانوسیم های چند لایه fe/cu با روش الکتروانباشت پالسی متناوب در قالب آلومینای حفره دار با روش آندایز نرم و سخت

در سال های اخیر نانوسیم های مغناطیسی چندلایه به ویژه چندلایه های مغناطیسی/غیرمغناطیسی، بواسطه هندسه ی منحصر به فرد و تغییرات بزرگ مقاومت که در حضور میدان از خود نشان می دهند، اهمیت نانومغناطیس را به طور قابل ملاحظه افزایش داده اند. در راستای تحقیق و بررسی این نانوساختارها، نانوسیم های چندلایه fe/cu، با بهینه سازی شرایط الکتروانباشت پالسی و در قالب اکسید آندی ساخته شدند. در این پژوهش ساختار و ریخت شناسی، درصد ترکیبات شیمیایی و خواص مغناطیسی توسط آنالیزهای xrd، tem و eds و vsm انجام پذیرفت. به منظور تعیین شرایط بهینه الکتروانباشت و دست یابی به نانوسیم های چندلایه fe/cu با خلوص بالا از لایه های مغناطیسی و غیرمغناطیسی، تأثیر پارامترهای نهشت از جمله زمان خاموشی بین پالس های اعمالی و ولتاژ اکسایش– کاهش بر روی خواص مغناطیسی و ساختار بلوری و ترکیب شیمیایی نانوسیم های آلیاژی fecu مورد ارزیابی قرار گرفت. سپس در تک حمامی از سولفات مس با غلظت 005/0 مولار و سولفات آهن با غلظت 4/0 مولار،با تغییر تناوبی ولتاژ اکسایش- کاهش پالس متناوب، 10-14 ولت با زمان خاموشی ms10 برای نهشت لایه fe و ولتاژ اکسایش- کاهش پالس متناوب، 10-12 ولت با زمان خاموشی ms200 برای نهشت لایه cu، نانوسیم های چندلایه fe/cu ساخته شدند. مشاهده شد که طی گذار از نانوسیم های چندلایه میله مانند (با ضخامت لایه مغناطیسی حدود 75 نانومتر) به نانوسیم های چندلایه دیسک مانند (با ضخامت لایه مغناطیسی حدود 5/7 نانومتر)، محور آسان مغناطوبلوری از راستای موازی با محور نانوسیم ها به راستای عمود بر محور نانوسیم ها می چرخد.